未命名 (1) (8) (1)
қақпа
Цзянсу Донгай жартылайдюсторы Co., Ltd
Сіз мындасыз: Үй » Құралдар » Mosfet » 100А 30В n-Арналарды 12V-300V NOS басқару режимі Power MOSFET 30H10H10H10H10H10H10H10h10H10h10h10h130K

тиеу

Бөлісу:
Facebook-ті бөлісу түймесі
Twitter бөлісу түймесі
Жолды бөлісу түймесі
WeChat бөлісу түймесі
LinkedIn бөлісу түймесі
Pinterest бөлісу түймесі
WhatsApp бөлісу түймесі
Sharethis бөлісу түймесі

100A 30V N каналды басқару режимі Power MOSFET 30h10 / 30h10h10h10H10h10H10h10h10h10K

100A 30V N Channel Angance Mode Power Mopfet
қол жетімділігі:
Саны:
Сұрау Себетке қосыңыз

  • 30h10 / 30h10F / 30h10 ° / 30h10H13 30h10K

  • Wxdh

100A 30V N каналды басқару режимі Power Mopfet


1 сипаттама

Бұл арнаның жетілдірілген vdmosfets жетілдірілген траншея технологиясын қолданды, өте жақсы RSSON және LATE GATE заряды. ROHS стандартымен қандай үйлеседі. 


2 мүмкіндіктер 

● Ауыстырылған шығындар аз 

● Қарсылық аз (RDSON≤5.5Mω) 

● Төменгі қақпа заряды (TYP: 43NC) 

● Кері аударымның төмен сыйымдылығы (TYP: 215PF) 

● 100% жалғызбасты импульстің көшбасшысы

● 100% δDS тест 


3 өтінім

● Қуатты коммутациялық қосымшалар 

● Инверторды басқару жүйесі 

● Электр құралдары 

● Автомобиль электроникасы



Vdss RDS (қосу) (тип) Куәлік 
30в 4м 100А



Алдыңғы: 
Келесі: 
100A 30V N каналды басқару режимі Power Mopfet
  • Цзянсу Донгай жартылайдюсторы Co., Ltd
  • Біздің ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз
  • дайын болыңыз
    Жаңалықтарды кіріс жәшігіне алу үшін біздің ақпараттық бюллетеньге қосылуға
    Бағыну
Авторлық құқық © 2023Цзянсу Донгай жартылай өткізгіштері, Ltd технологиясы бойынша evidong.com