100A 30V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K

100a 30V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET

1 Descriere

Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite N-Channel au utilizat un design avansat de tehnologie de tranșee, au furnizat o încărcare excelentă a RDSON și a porții joase. Care este în conformitate cu standardul ROHS. 

2 caracteristici 

● Pierdere scăzută de comutare 

● Rezistență scăzută (RDSON≤5.5MΩ) 

● Încărcare scăzută a porții (TIP: 43NC) 

● Capacitate de transfer invers scăzut (TYP: 215pf) 

● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă

● Test 100% ΔVDS 

3 aplicații

● Aplicații de comutare a puterii 

● Sistem de gestionare a invertorului 

● Instrumente electrice 

● Electronică auto