9A 200V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET D630 bis 252B

9a 200 V N-Kanal-Verbesserung des Modus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 0,28 Ω)

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 12,6 NC) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 8.8PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen

● Hocheffizienz -Schaltmodus -Netzteile. 

● Stromschaltkreis von Adapter und Ladegerät. 

● ups

● Wechselrichter