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D630
WXDH
TO-252B
200V
9A
9 A 200 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Schnelles Umschalten
● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,28Ω)
● Geringe Gate-Ladung (typisch: 12,6 nC)
● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 8,8 pF)
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Hocheffiziente Schaltnetzteile.
● Netzschalterschaltung von Adapter und Ladegerät.
● USV
● Wechselrichter
| VDSS | RDS(ein) (TYP) | AUSWEIS |
| 200V | 0,23 Ω | 9A |




