9A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 200 V Power MOSFET D630 TO-252B

9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfet N-καναλιών, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. 

2 Χαρακτηριστικά 

● Γρήγορη εναλλαγή

● Χαμηλή αντίσταση (Rdson≤0,28Ω)

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 12,6nC) 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τύπος: 8,8 pF) 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές

● Τροφοδοτικά λειτουργίας διακόπτη υψηλής απόδοσης. 

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας προσαρμογέα και φορτιστή. 

● UPS

● Μετατροπέας

VDSS	RDS(ενεργό) (TYP)	ταυτότητα
200V	0,23 Ω	9Α