未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vi ste ovdje: Dom » Proizvodi » » Mosfet » 12V-300V N MOS » 9A 200V N-kanal Način poboljšanja Power Mosfet D630 TO-252B

učitavanje

Podijeli na:
Gumb za dijeljenje Facebooka
Gumb za dijeljenje na Twitteru
gumb za dijeljenje linija
gumb za dijeljenje weChat
LinkedIn gumb za dijeljenje
Gumb za dijeljenje Pinterest -a
Gumb za dijeljenje Whatsappa
gumb za dijeljenje Sharethis

9A 200V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet D630 TO-252B

9A 200V N-kanal Način poboljšanja Power MosFET
Dostupnost:
Količina:
Raspitati se Dodaj u koš

9A 200V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet


1 Opis

Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže sa ROHS standardom. 


2 značajke 

● Brzo prebacivanje

● Nizak otpor (Rdson≤0.28Ω)

● Naboj s malim vratima (TIP: 12,6NC) 

● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 8.8PF) 

● 100% pojedinačni test energetike pulsa 

● 100% ΔVDS test 


3 prijave

● Način prekidača visoke učinkovitosti. 

● sklop sklopke za napajanje adaptera i punjača. 

● UPS

● Inverter


VDSS RDS (ON) (TIP) Osobna iskaznica 
200v 0,23Ω 9a



Prethodno: 
Sljedeći: 
9A 200V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš bilten
  • Pripremite se za buduću
    prijavu za naš bilten kako biste dobili ažuriranja izravno u vašu pristiglu poštu
    Podnijeti
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by LEADONG.com