Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
D630
WXDH
To-252b
200V
9α
9α 200V N-Channel MODE MOSFET MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤0.28Ω)
● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 12.6NC)
● Χαμηλές χωρητικότητες μεταφοράς (τύπος: 8.8PF)
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Προμήθειες τροφοδοσίας λειτουργίας υψηλής απόδοσης.
● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του προσαρμογέα και του φορτιστή.
● UPS
● Αντίστροφος
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
200V | 0,23Ω | 9α |
9α 200V N-Channel MODE MOSFET MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤0.28Ω)
● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 12.6NC)
● Χαμηλές χωρητικότητες μεταφοράς (τύπος: 8.8PF)
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Προμήθειες τροφοδοσίας λειτουργίας υψηλής απόδοσης.
● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του προσαρμογέα και του φορτιστή.
● UPS
● Αντίστροφος
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
200V | 0,23Ω | 9α |