9A 200V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET D630 TO-252B

9A 200V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET

1 説明

これらの N チャネル強化 vdmosfet は、伝導損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。 RoHS規格に準拠しています。 

2 特徴 

●高速スイッチング

●低オン抵抗(Rdson≦0.28Ω)

● 低いゲート電荷(Typ: 12.6nC) 

●低い逆伝達容量(Typ:8.8pF) 

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験 

● 100% ΔVDS テスト 

3 アプリケーション

●高効率スイッチモード電源です。 

●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。 

●UPS

●インバータ

VDSS	RDS(on) (TYP)	ID
200V	0.23Ω	9A