9A 200V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET D630 TO-252B

9A 200V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş

● Düşük direnç (Rdson≤0,28Ω)

● Düşük geçit şarjı (Tip: 12,6nC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 8,8pF) 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama

● Yüksek verimli anahtar modlu güç kaynakları. 

● Adaptörün ve şarj cihazının güç anahtarı devresi. 

● UPS

● İnvertör

VDSS	RDS(açık) (TİP)	İD
200V	0,23Ω	9A