9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D630 TO-252B

9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ 

● ສະຫຼັບໄວ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤0.28Ω)

● ຄ່າຜ່ານປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 12.6nC) 

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປະເພດ: 8.8pF) 

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ 

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ການສະຫນອງພະລັງງານຂອງຮູບແບບສະຫຼັບປະສິດທິພາບສູງ. 

● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງອະແດບເຕີ ແລະເຄື່ອງສາກ. 

● UPS

● Inverter

VDSS	RDS(ເປີດ) (TYP)	ID
200V	0.23Ω	9A