9A 200V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D630 TO-252B

MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 9A 200V

1 Descrição

Esses vdmosfets aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos 

● Troca rápida

● Baixa resistência (Rdson≤0,28Ω)

● Carga de porta baixa (Tipo: 12,6nC) 

● Baixas capacitâncias de transferência reversa (Tipo: 8,8pF) 

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100% 

● Teste ΔVDS 100% 

3 aplicações

● Fontes de alimentação comutadas de alta eficiência. 

● Circuito do interruptor de alimentação do adaptador e do carregador. 

● UPS

● Inversor

VDSS	RDS(ligado) (TYP)	EU IA
200 V	0,23Ω	9A