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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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220 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DTE025N04NA TO-263

220 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
Verfügbarkeit:
Menge:

220 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung


Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● AEC Q101-qualifiziert 

● MSL1 bis zu 260 °C Spitzen-Reflow 

● 175°C Betriebstemperatur 

● Grünes Produkt (RoHS-konform) 

● Schnelles Umschalten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 


3 Anwendungen 

● Automobilanwendung

● Leistungsschaltanwendungen

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
40V 2,1 mΩ 220A


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