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MOSFET N DSD190N10L3 TO-252B da 100 V/15 mΩ/50 A

100 V/15 mΩ/50 A N-MOSFET
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MOSFET N da 100 V/15 mΩ/50 A


Caratteristiche 

• Bassa resistenza 

• Basse capacità di trasferimento inverso 

• Test energetico da valanga al 100% a impulso singolo 

• Test ΔVDS al 100%. 

• Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS


Applicazioni 

• Controllo e azionamento del motore

 • Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria

  • Raddrizzatore sincrono per SMPS


VDS RDS(acceso)tip ID
100 V 15 mΩ 50A


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