MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 160 A 40 V D110N04 TO-252B

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 160 A 40 V

1 Descrizione 

Questi VDMOSFET avanzati a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente RDSON e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida

● Bassa resistenza all'attivazione (Rdson ≤ 4,5 mΩ) 

● Carica gate bassa (tip.: 117nC) 

● Capacità di trasferimento inverso basse (tipicamente: 460 pF) 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni 

● Applicazioni PWM 

● Interruttore di carico 

● Gestione dell'energia

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
40 V	3,5 mΩ	160A