ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 12V-300V N MOS
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

12V-300V N MOS

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
180A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A ТО-252Б 85В 180А Пристрій+DSD040N08N3A+Специфікація+Ред.1.0.pdf
105A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P ДФН5*6-8 40В 130А Специфікація пристрою DH025N04.pdf
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 ДО-220С 68В 60А Специфікація пристрою DH50N06FZC.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R ДО-220С 100В 120А Специфікація пристрою DH10H035R.pdf
50A 120V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 ДО-220С 120В 50А Специфікація пристрою DH150N12.pdf
140A 150V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA ДО-220С 150В 140А Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
NPN епітаксіальний кремнієвий транзистор 2SD882 TO-126 2SD882 ТО-126 40В 3A 英文版D882技术规格书.pdf
170A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 ДО-220С 100В 170А Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D ТО-252Б 100В 25А Пристрій+DHS250N10D+Специфікація+Ред.1.0.pdf
90A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 ТО-252Б 80В 90А Специфікація пристрою DHD80N08.pdf
63A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
120A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R ДО-220С 100В 120А Специфікація пристрою DH10H037R.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 ДО-220С 85В 120А Пристрій DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
100A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40В 100А Donghai_DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf
120A 98V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 ДО-220С 98В 120А Специфікація пристрою DHS046N10.pdf
180A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E ТО-263 60В 180А Donghai_ DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
130A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D ТО-252Б 40В 130А Специфікація пристрою DH025N04.pdf
61A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 ДО-220С 60В 61А Специфікація пристрою DH16N06.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 ДО-220С 80В 180А Специфікація пристрою DH8004 (2).pdf
240A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 ДО-220С 100В 240А Специфікація пристрою DHS025N10.pdf

Відео продукту

  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку