N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 120A 100V
1 Опис
Ці потужні МОП-транзистори N-канального режиму покращення використовували передову конструкцію технології розділеного затвора, що забезпечувало чудовий Rdson і низький заряд затвора. Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір
● Низький заряд затвора
● Високий лавинний струм
● Низькі ємності зворотного перенесення
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Імпульсне джерело живлення
● Інверторна система керування живленням
● Керування електроінструментом
● Застосування автомобільної електроніки
| VDSS |
RDS(увімкнено)(TYP) |
ID |
| 100В |
3,5 мОм |
120А |