gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
You Are Here: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
tombol berbagi baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 100V
Ketersediaan:
Kuantitas:

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 100V

1 deskripsi


Mode Peningkatan N-Channel Power MOSFET ini menggunakan desain teknologi gerbang splite canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur

● Pergantian cepat 

● Rendah pada resistensi 

● Biaya gerbang rendah 

● Arus longsoran salju tinggi 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi

● Beralih catu daya 

● Sistem Manajemen Daya Inverter 

● Kontrol alat daya 

● Aplikasi elektronik otomotif


VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
100V 3.5mΩ 120a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda