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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Modo de aprimoramento de canal n

n
Modo de aprimoramento de
canal

Modo de aprimoramento de canal n

1 Descrição


Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado de tecnologia de portão de divisão, proporcionou um excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos

● Comutação rápida 

● baixa resistência 

● Baixa carga do portão 

● Alto avalanche atual 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS 


3 aplicações

● Comutação de fonte de alimentação 

● Sistema de gerenciamento de energia do inversor 

● Controle da ferramenta elétrica 

● Aplicações eletrônicas automotivas


VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
100V 3,5mΩ 120a


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