Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 100V
1 Descrição
Esses mosfets de potência no modo de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de porta dividida, proporcionando excelente Rdson e baixa carga de porta. O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Troca rápida
● Baixa resistência
● Taxa de portão baixa
● Alta corrente de avalanche
● Baixas capacitâncias de transferência reversa
● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Troca de fonte de alimentação
● Sistema de gerenciamento de energia do inversor
● Controle de ferramentas elétricas
● Aplicações eletrônicas automotivas
| VDSS |
RDS(ligado)(TYP) |
EU IA |
| 100V |
3,5mΩ |
120A |