โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel กระแสไฟ MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C

โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel พาวเวอร์ MOSFET 120A 100V

1 คำอธิบาย

มอสเฟตกำลังโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพโหมด N-channel เหล่านี้ใช้เทคโนโลยีการออกแบบแยกเกตขั้นสูง ซึ่งให้ค่า Rdson และเกตต่ำที่ยอดเยี่ยม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความต้านทานต่ำ 

● ค่าเกตต่ำ 

● กระแสหิมะถล่มสูง 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน

● การสลับแหล่งจ่ายไฟ 

● ระบบการจัดการพลังงานอินเวอร์เตอร์ 

● การควบคุมเครื่องมือไฟฟ้า 

● การใช้งานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในยานยนต์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
100V	3.5mΩ	120A