โหมดการปรับปรุง N-Channel Power MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C

โหมดการปรับปรุง N-Channel Power MOSFET 120A 100V

1 คำอธิบาย

โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยี Splite Gate ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 

2 คุณสมบัติ

●การสลับอย่างรวดเร็ว 

●ความต้านทานต่ำ 

●ประจุประตูต่ำ 

●กระแสหิมะถล่มสูง 

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100% 

●การทดสอบ 100% ΔVDS 

3 แอปพลิเคชัน

●การสลับแหล่งจ่ายไฟ 

●ระบบการจัดการพลังงานอินเวอร์เตอร์ 

●การควบคุมเครื่องมือไฟฟ้า 

●แอพพลิเคชั่นอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์