N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C

N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET 120A 100V

1 Beschrijving

Deze N-kanaals vermogens-mosfets met verbeterde modus maakten gebruik van een geavanceerd split-gate-technologieontwerp en zorgden voor uitstekende Rdson en lage poortlading. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 

2 Kenmerken

● Snel schakelen 

● Weinig weerstand 

● Lage poortlading 

● Hoge lawinestroom 

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteiten 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 

3 toepassingen

● Schakelende voeding 

● Omvormer-energiebeheersysteem 

● Bediening van elektrisch gereedschap 

● Toepassingen op het gebied van auto-elektronica

VDSS	RDS(aan)(TYP)	Identiteitskaart
100V	3,5 mΩ	120A