Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C

Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 120A 100V

1 περιγραφή

Αυτές οι λειτουργίες βελτίωσης N-Channel Power MOSFETs χρησιμοποίησαν προηγμένο σχεδιασμό τεχνολογίας πύλης Splite, παρείχαν εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης 

● Υψηλό ρεύμα χιονοστιβάδας 

● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche 

● δοκιμή 100% ΔVDS 

3 αιτήσεις

● Αλλαγή τροφοδοσίας 

● Σύστημα διαχείρισης ισχύος μετατροπέα 

● Έλεγχος ηλεκτρικού εργαλείου 

● Εφαρμογές ηλεκτρονικών αυτοκινήτων