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N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C

N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 120A 100V
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N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 120A 100V

1 Beschreibung


Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● Stromversorgung wechseln 

● Wechselrichter -Leistungsmanagementsystem 

● Elektrowerkzeugsteuerung 

● Anwendungen zur Kfz -Elektronik


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 3,5 mΩ 120a


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