cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

12V-300V NMOS

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 19 A 80 V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Dispositivo DH300N08 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai DHS021N04P Scheda tecnica V3.0.pdf
MOSFET di potenza DHZ24 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 30 A 60 V DHZ24 TO-220C 60 V 30A Specifiche del dispositivo DHZ24B31.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 75 V D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75 V 80A Specifiche del dispositivo D7509.pdf
PACCHETTO PEDAGGIO MOSFET di potenza DHS010N04U in modalità potenziamento canale N da 300 A 40 V DHS010N04U PEDAGGIO 40 V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 100 V DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V 12A Specifiche del dispositivo DH1K1N10.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 80 V DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C e TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza N6005/FN6005/EN6005 in modalità potenziata a canale N da 210 A 60 V N6005 TO-220C 60 V 180A Specifiche del dispositivo N6005B40.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 68 V DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Specifiche del dispositivo DH60N06+.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V 100A Dispositivo DH100N03 B13 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS055N85 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 110 A 85 V DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Specifiche del dispositivo DHS055N85.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 110 A 60 V DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60 V 110A Dispositivo+DH066N06+Specifiche+Rev.2.0.pdf
100 V/2 mΩ/281 A N-MOSFET PEDAGGIO DSU023N10N3 PEDAGGIO 100 V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS020N88 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 85 V DHS020N88 TO-220C 85 V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 112 A 68 V DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 180 A 100 V DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180A Dispositivo+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 200 V F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Specifiche del dispositivo F50N20(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 100 V DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Specifiche del dispositivo DHS065N10P(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 130 A 85 V DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85 V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 96 A 30 V DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30 V 96A Specifiche del dispositivo DH030N03P.pdf

Video del prodotto

  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta