Dettagli
| VDSS |
RDS(acceso)(TIPO) |
ID |
| 85 V |
5,5 mΩ |
110A |
Funzioni del prodotto
Il MOSFET a canale N da 110 A utilizza la tecnologia della modalità di miglioramento, che richiede una tensione positiva sul terminale di gate per l'accensione. Questa caratteristica consente al MOSFET di funzionare in modo efficiente in ambienti ad alta potenza, rendendolo adatto per sistemi UPS e altre applicazioni di commutazione di potenza. Con bassa resistenza nello stato di conduzione e capacità di commutazione rapida, questo MOSFET è ottimizzato per applicazioni in cui l'efficienza e i tempi di risposta rapidi sono fondamentali. Inoltre, la bassa capacità di trasferimento inverso riduce al minimo la perdita di potenza, garantendo che il dispositivo possa gestire carichi di corrente elevati senza compromettere le prestazioni.
Scenari applicabili
Questo MOSFET a canale N è ideale per applicazioni che richiedono un'elevata gestione della potenza, come sistemi UPS, convertitori CC-CC, controlli motore e raddrizzamento sincrono negli alimentatori a commutazione (SMPS). La sua capacità di gestire fino a 110 A di corrente e 85 V di tensione lo rende particolarmente efficace nel mantenere un'alimentazione stabile durante gli eventi di commutazione. Sia che venga utilizzato in un sistema UPS industriale, in controlli di motori ad alta velocità o in circuiti di commutazione di potenza, il MOSFET garantisce prestazioni affidabili e costanti in ambienti difficili.
Vantaggi del prodotto
- Elevata capacità di corrente: il MOSFET a canale N da 110 A è costruito per gestire elevate richieste di potenza, rendendolo una scelta eccellente per applicazioni pesanti come i sistemi UPS.
- Bassa resistenza allo stato attivo: utilizzando l'avanzata tecnologia trench, questo MOSFET offre un basso Rdson (resistenza allo stato attivo), riducendo la perdita di potenza e migliorando l'efficienza complessiva.
- Commutazione rapida: l'elevata velocità di commutazione del MOSFET garantisce un ritardo minimo durante le transizioni di alimentazione, il che è fondamentale per alimentatori ininterrotti e altri sistemi di controllo dell'alimentazione in tempo reale.
- Durata e affidabilità: questo MOSFET è sottoposto a test rigorosi, inclusi test energetici a valanga a impulso singolo al 100%, garantendo che soddisfi i più elevati standard del settore in termini di durata e affidabilità. Il suo design robusto garantisce una lunga durata operativa anche in ambienti ad alto stress.
In sintesi, il MOSFET in modalità potenziata a canale N da 110 A è progettato per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza, offrendo velocità di commutazione elevate, bassa resistenza e capacità di gestire correnti elevate, rendendolo ideale per sistemi UPS e altre applicazioni impegnative di gestione dell'alimentazione
