Доступность: | |
---|---|
количество: | |
DHS055N85
WXDH
До-220c
85 В
110a
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
85 В | 5,5 МОм | 110a |
MOSFET 110A N-канала использует технологию режима улучшения, которая требует положительного напряжения на терминале Gate для включения. Эта функция позволяет MOSFET эффективно работать в мощных средах, что делает его подходящим для систем UPS и других приложений переключения питания. Благодаря низкому устойчивости и быстрому переключению, этот MOSFET оптимизирован для применений, где эффективность и время быстрого отклика имеют решающее значение. Кроме того, низкая емкость обратного переноса сводит к минимуму потери мощности, гарантируя, что устройство может обрабатывать высокие нагрузки тока без ущерба для производительности.
Этот N-канальный MOSFET идеально подходит для приложений, которые требуют высокого управления мощностью, таких как системы UPS, преобразователи DC-DC, управление двигателем и синхронное выпрямление в расходных материалах режима коммутатора (SMPS). Его способность обрабатывать до 110А тока и 85 В напряжения делает его особенно эффективным для поддержания стабильной мощности во время переключения. Независимо от того, используется ли в промышленной системе UPS, высокоскоростном двигателе управления двигателями или схемами переключения питания MOSFET обеспечивает надежную и последовательную производительность в требовательных средах.
-Высокая мощность тока: N-канальный MOSFET 110A построен для удовлетворения высоких потребностей в мощности, что делает его отличным выбором для тяжелых приложений, таких как системы UPS.
-Низкая устойчивость: используя передовую технологию траншеи, этот MOSFET предлагает низкую RDSON (сопротивление в штате), снижая потерю мощности и повышая общую эффективность.
- Быстрое переключение: быстрая скорость переключения MOSFET обеспечивает минимальную задержку во время переходов питания, что имеет решающее значение для непрерывных источников питания и других систем управления мощностью в реальном времени.
- Долговечность и надежность: этот MOSFET проходит строгие испытания, в том числе 100% одно импульсные тесты на лавину, обеспечивая соответствие самым высоким отраслевым стандартам для долговечности и надежности. Его надежный дизайн обеспечивает длительную эксплуатационную жизнь даже в среде высокого стресса.
Таким образом, MOSFET режима улучшения N-канала 110A N-канала предназначен для высокоэффективных приложений переключения питания, предлагая быстрые скорости переключения, низкое сопротивление и способность обрабатывать большие токи, что делает его идеальным для систем UPS и других требовательных приложений управления питанием.
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
85 В | 5,5 МОм | 110a |
MOSFET 110A N-канала использует технологию режима улучшения, которая требует положительного напряжения на терминале Gate для включения. Эта функция позволяет MOSFET эффективно работать в мощных средах, что делает его подходящим для систем UPS и других приложений переключения питания. Благодаря низкому устойчивости и быстрому переключению, этот MOSFET оптимизирован для применений, где эффективность и время быстрого отклика имеют решающее значение. Кроме того, низкая емкость обратного переноса сводит к минимуму потери мощности, гарантируя, что устройство может обрабатывать высокие нагрузки тока без ущерба для производительности.
Этот N-канальный MOSFET идеально подходит для приложений, которые требуют высокого управления мощностью, таких как системы UPS, преобразователи DC-DC, управление двигателем и синхронное выпрямление в расходных материалах режима коммутатора (SMPS). Его способность обрабатывать до 110А тока и 85 В напряжения делает его особенно эффективным для поддержания стабильной мощности во время переключения. Независимо от того, используется ли в промышленной системе UPS, высокоскоростном двигателе управления двигателями или схемами переключения питания MOSFET обеспечивает надежную и последовательную производительность в требовательных средах.
-Высокая мощность тока: N-канальный MOSFET 110A построен для удовлетворения высоких потребностей в мощности, что делает его отличным выбором для тяжелых приложений, таких как системы UPS.
-Низкая устойчивость: используя передовую технологию траншеи, этот MOSFET предлагает низкую RDSON (сопротивление в штате), снижая потерю мощности и повышая общую эффективность.
- Быстрое переключение: быстрая скорость переключения MOSFET обеспечивает минимальную задержку во время переходов питания, что имеет решающее значение для непрерывных источников питания и других систем управления мощностью в реальном времени.
- Долговечность и надежность: этот MOSFET проходит строгие испытания, в том числе 100% одно импульсные тесты на лавину, обеспечивая соответствие самым высоким отраслевым стандартам для долговечности и надежности. Его надежный дизайн обеспечивает длительную эксплуатационную жизнь даже в среде высокого стресса.
Таким образом, MOSFET режима улучшения N-канала 110A N-канала предназначен для высокоэффективных приложений переключения питания, предлагая быстрые скорости переключения, низкое сопротивление и способность обрабатывать большие токи, что делает его идеальным для систем UPS и других требовательных приложений управления питанием.