Kullanılabilirlik: | |
---|---|
Miktar: | |
DHS055N85
WXDH
220c TO
85V
110a
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
85V | 5.5mΩ | 110a |
110A n-kanallı MOSFET, açılmak için kapı terminalinde pozitif bir voltaj gerektiren geliştirme modu teknolojisini kullanır. Bu özellik, MOSFET'in yüksek güçlü ortamlarda verimli bir şekilde çalışmasını sağlar, bu da UPS sistemleri ve diğer güç değiştirme uygulamaları için uygun hale getirir. Düşük direnç ve hızlı anahtarlama özellikleri ile bu MOSFET, verimlilik ve hızlı yanıt sürelerinin kritik olduğu uygulamalar için optimize edilmiştir. Ek olarak, düşük ters transfer kapasitansı, güç kaybını en aza indirir ve cihazın performansdan ödün vermeden yüksek akım yüklerini işleyebilmesini sağlar.
Bu N-kanallı MOSFET, UPS sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolleri ve anahtar modu güç kaynaklarında (SMP'lerde) senkron doğrultma gibi yüksek güç yönetimi gerektiren uygulamalar için idealdir. 110A'ya kadar akım ve 85V voltajı işleme yeteneği, anahtarlama olayları sırasında kararlı gücün korunmasında özellikle etkili olmasını sağlar. Bir endüstriyel UPS sisteminde, yüksek hızlı motor kontrollerinde veya güç anahtarlama devrelerinde kullanılmış olsun, MOSFET zorlu ortamlarda güvenilir ve tutarlı bir performans sağlar.
-Yüksek akım kapasitesi: 110A n-kanallı MOSFET, yüksek güç taleplerini ele almak için üretilmiştir, bu da UPS sistemleri gibi ağır hizmet uygulamaları için mükemmel bir seçim haline getirir.
-Düşük direnç: Gelişmiş hendek teknolojisini kullanarak, bu MOSFET düşük RDSON (devlet direnci) sunar, güç kaybını azaltır ve genel verimliliği artırır.
- Hızlı Anahtarlama: MOSFET'in hızlı anahtarlama hızı, güç geçişleri sırasında kesintisiz güç kaynakları ve diğer gerçek zamanlı güç kontrol sistemleri için çok önemli olan minimum gecikme sağlar.
- Dayanıklılık ve güvenilirlik: Bu MOSFET,% 100 tek nabız çığ enerji testleri de dahil olmak üzere titiz testlere tabi tutulur ve dayanıklılık ve güvenilirlik için en yüksek endüstri standartlarını karşılamasını sağlar. Sağlam tasarımı, yüksek stresli ortamlarda bile uzun operasyonel yaşam sağlar.
Özetle, 110A n-kanal geliştirme modu MOSFET, hızlı anahtarlama hızları, düşük direnç ve büyük akımları ele alma kapasitesi sunarak yüksek verimli güç anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır, bu da UPS sistemleri ve diğer zorlu güç yönetimi uygulamaları için idealdir.
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
85V | 5.5mΩ | 110a |
110A n-kanallı MOSFET, açılmak için kapı terminalinde pozitif bir voltaj gerektiren geliştirme modu teknolojisini kullanır. Bu özellik, MOSFET'in yüksek güçlü ortamlarda verimli bir şekilde çalışmasını sağlar, bu da UPS sistemleri ve diğer güç değiştirme uygulamaları için uygun hale getirir. Düşük direnç ve hızlı anahtarlama özellikleri ile bu MOSFET, verimlilik ve hızlı yanıt sürelerinin kritik olduğu uygulamalar için optimize edilmiştir. Ek olarak, düşük ters transfer kapasitansı, güç kaybını en aza indirir ve cihazın performansdan ödün vermeden yüksek akım yüklerini işleyebilmesini sağlar.
Bu N-kanallı MOSFET, UPS sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolleri ve anahtar modu güç kaynaklarında (SMP'lerde) senkron doğrultma gibi yüksek güç yönetimi gerektiren uygulamalar için idealdir. 110A'ya kadar akım ve 85V voltajı işleme yeteneği, anahtarlama olayları sırasında kararlı gücün korunmasında özellikle etkili olmasını sağlar. Bir endüstriyel UPS sisteminde, yüksek hızlı motor kontrollerinde veya güç anahtarlama devrelerinde kullanılmış olsun, MOSFET zorlu ortamlarda güvenilir ve tutarlı bir performans sağlar.
-Yüksek akım kapasitesi: 110A n-kanallı MOSFET, yüksek güç taleplerini ele almak için üretilmiştir, bu da UPS sistemleri gibi ağır hizmet uygulamaları için mükemmel bir seçim haline getirir.
-Düşük direnç: Gelişmiş hendek teknolojisini kullanarak, bu MOSFET düşük RDSON (devlet direnci) sunar, güç kaybını azaltır ve genel verimliliği artırır.
- Hızlı Anahtarlama: MOSFET'in hızlı anahtarlama hızı, güç geçişleri sırasında kesintisiz güç kaynakları ve diğer gerçek zamanlı güç kontrol sistemleri için çok önemli olan minimum gecikme sağlar.
- Dayanıklılık ve güvenilirlik: Bu MOSFET,% 100 tek nabız çığ enerji testleri de dahil olmak üzere titiz testlere tabi tutulur ve dayanıklılık ve güvenilirlik için en yüksek endüstri standartlarını karşılamasını sağlar. Sağlam tasarımı, yüksek stresli ortamlarda bile uzun operasyonel yaşam sağlar.
Özetle, 110A n-kanal geliştirme modu MOSFET, hızlı anahtarlama hızları, düşük direnç ve büyük akımları ele alma kapasitesi sunarak yüksek verimli güç anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır, bu da UPS sistemleri ve diğer zorlu güç yönetimi uygulamaları için idealdir.