| Dostępność: | |
|---|---|
| Ilość: | |
DHS055N85
WXDH
TO-220C
85 V
110A
| VDSS | RDS(wł.)(TYP) | ID |
| 85 V | 5,5 mΩ | 110A |
N-kanałowy MOSFET 110 A wykorzystuje technologię trybu wzmocnienia, która do włączenia wymaga dodatniego napięcia na zacisku bramki. Ta funkcja umożliwia wydajną pracę tranzystora MOSFET w środowiskach o dużej mocy, dzięki czemu nadaje się do systemów UPS i innych zastosowań związanych z przełączaniem zasilania. Dzięki niskiej rezystancji włączenia i możliwościom szybkiego przełączania ten MOSFET jest zoptymalizowany do zastosowań, w których wydajność i krótki czas reakcji mają kluczowe znaczenie. Dodatkowo niska pojemność przesyłu zwrotnego minimalizuje straty mocy, zapewniając, że urządzenie może wytrzymać obciążenia o dużym natężeniu prądu bez utraty wydajności.
Ten N-kanałowy MOSFET jest idealny do zastosowań wymagających wysokiego zarządzania mocą, takich jak systemy UPS, przetwornice DC-DC, sterowanie silnikami i prostowanie synchroniczne w zasilaczach impulsowych (SMPS). Jego zdolność do obsługi prądu do 110 A i napięcia 85 V sprawia, że jest on szczególnie skuteczny w utrzymywaniu stabilnej mocy podczas zdarzeń przełączania. Niezależnie od tego, czy używany jest w przemysłowym systemie UPS, w sterownikach silników o dużej prędkości, czy w obwodach przełączania mocy, MOSFET zapewnia niezawodną i stałą wydajność w wymagających środowiskach.
- Wysoka wydajność prądowa: N-kanałowy MOSFET 110 A jest zbudowany tak, aby sprostać wysokim wymaganiom mocy, co czyni go doskonałym wyborem do zastosowań o dużym obciążeniu, takich jak systemy UPS.
- Niska rezystancja włączenia: Dzięki zastosowaniu zaawansowanej technologii wykopów ten MOSFET oferuje niski Rdson (rezystancja w stanie włączenia), zmniejszając straty mocy i poprawiając ogólną wydajność.
- Szybkie przełączanie: Duża prędkość przełączania MOSFET-u zapewnia minimalne opóźnienia podczas przejść zasilania, co ma kluczowe znaczenie w przypadku zasilaczy nieprzerwanych i innych systemów sterowania mocą w czasie rzeczywistym.
- Trwałość i niezawodność: Ten MOSFET przechodzi rygorystyczne testy, w tym 100% testy energii lawinowej pojedynczego impulsu, zapewniając, że spełnia najwyższe standardy branżowe w zakresie trwałości i niezawodności. Solidna konstrukcja zapewnia długą żywotność nawet w środowiskach o dużym obciążeniu.
Podsumowując, tranzystor MOSFET z kanałem N o natężeniu 110 A jest przeznaczony do zastosowań w zakresie wysokowydajnego przełączania zasilania, oferując duże prędkości przełączania, niską rezystancję i zdolność do obsługi dużych prądów, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla systemów UPS i innych wymagających aplikacji zarządzania energią




