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DHS055N85
Wxdh
To-220c
85 V
110a
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
85 V | 5,5 mΩ | 110a |
Die 110A N-Kanal-MOSFET verwendet die Technologie des Verbesserungsmodus, die eine positive Spannung am Gate-Terminal erfordert, um sich einzuschalten. Diese Funktion ermöglicht es dem MOSFET, in Hochleistungsumgebungen effizient zu arbeiten, sodass es für UPS-Systeme und andere Stromschaltanwendungen geeignet ist. Mit geringen Funktionen für die Resistenz und der schnellen Umschaltung ist dieses MOSFET für Anwendungen optimiert, bei denen die Effizienz und die schnellen Reaktionszeiten von entscheidender Bedeutung sind. Darüber hinaus minimiert die niedrige Rückübertragungskapazität den Stromverlust und sorgt dafür, dass das Gerät mit hohen Stromlasten ohne beeinträchtige Leistung verarbeiten kann.
Dieses N-Kanal-MOSFET ist ideal für Anwendungen, die ein hohes Stromversorgung erfordern, z. B. UPS-Systeme, DC-DC-Wandler, motorische Steuerelemente und synchrone Gleichberechtigung in Switch-Mode-Netzteilen (SMPs). Seine Fähigkeit, bis zu 110a Strom und 85 V Spannung zu bewältigen, macht es besonders effektiv bei der Aufrechterhaltung einer stabilen Leistung während des Wechselns der Ereignisse. Unabhängig davon, ob in einem industriellen UPS-System, Hochgeschwindigkeitsmotorsteuerungen oder Stromschaltkreisen die MOSFET in anspruchsvollen Umgebungen eine zuverlässige und konsistente Leistung gewährleistet.
-hohe Stromkapazität: Das 110A N-Kanal-MOSFET ist für hohe Strombedarfsanforderungen erstellt, was es zu einer hervorragenden Wahl für hochkarätige Anwendungen wie UPS-Systeme macht.
-Niedriges On-Resistenz: Durch die Nutzung fortschrittlicher Grabentechnologie bietet dieses MOSFET einen niedrigen RDSON (Widerstand auf dem Staat), reduziert den Stromverlust und die Verbesserung der Gesamteffizienz.
- Schnelles Schalten: Die schnelle Schaltgeschwindigkeit des MOSFET sorgt für eine minimale Verzögerung bei Leistungsübergängen, was für ununterbrochene Stromversorgungen und andere Echtzeit-Stromkontrollsysteme von entscheidender Bedeutung ist.
- Haltbarkeit und Zuverlässigkeit: Dieses MOSFET wird strengen Tests durchgeführt, einschließlich 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietests, um sicherzustellen, dass sie den höchsten Branchenstandards für Haltbarkeit und Zuverlässigkeit entspricht. Sein robustes Design sorgt selbst in Hochstressumgebungen ein langes betriebliches Leben.
Zusammenfassend ist der MOSFET des 110A N-Kanalverbesserungsmodus für hocheffiziente Leistungsschaltanwendungen ausgelegt und bietet schnelle Schaltgeschwindigkeiten, einen niedrigen Widerstand und die Kapazität, um große Ströme zu bewältigen, was es ideal für UPS-Systeme und andere anspruchsvolle Stromverwaltungsanwendungen macht
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
85 V | 5,5 mΩ | 110a |
Die 110A N-Kanal-MOSFET verwendet die Technologie des Verbesserungsmodus, die eine positive Spannung am Gate-Terminal erfordert, um sich einzuschalten. Diese Funktion ermöglicht es dem MOSFET, in Hochleistungsumgebungen effizient zu arbeiten, sodass es für UPS-Systeme und andere Stromschaltanwendungen geeignet ist. Mit geringen Funktionen für die Resistenz und der schnellen Umschaltung ist dieses MOSFET für Anwendungen optimiert, bei denen die Effizienz und die schnellen Reaktionszeiten von entscheidender Bedeutung sind. Darüber hinaus minimiert die niedrige Rückübertragungskapazität den Stromverlust und sorgt dafür, dass das Gerät mit hohen Stromlasten ohne beeinträchtige Leistung verarbeiten kann.
Dieses N-Kanal-MOSFET ist ideal für Anwendungen, die ein hohes Stromversorgung erfordern, z. B. UPS-Systeme, DC-DC-Wandler, motorische Steuerelemente und synchrone Gleichberechtigung in Switch-Mode-Netzteilen (SMPs). Seine Fähigkeit, bis zu 110a Strom und 85 V Spannung zu bewältigen, macht es besonders effektiv bei der Aufrechterhaltung einer stabilen Leistung während des Wechselns der Ereignisse. Unabhängig davon, ob in einem industriellen UPS-System, Hochgeschwindigkeitsmotorsteuerungen oder Stromschaltkreisen die MOSFET in anspruchsvollen Umgebungen eine zuverlässige und konsistente Leistung gewährleistet.
-hohe Stromkapazität: Das 110A N-Kanal-MOSFET ist für hohe Strombedarfsanforderungen erstellt, was es zu einer hervorragenden Wahl für hochkarätige Anwendungen wie UPS-Systeme macht.
-Niedriges On-Resistenz: Durch die Nutzung fortschrittlicher Grabentechnologie bietet dieses MOSFET einen niedrigen RDSON (Widerstand auf dem Staat), reduziert den Stromverlust und die Verbesserung der Gesamteffizienz.
- Schnelles Schalten: Die schnelle Schaltgeschwindigkeit des MOSFET sorgt für eine minimale Verzögerung bei Leistungsübergängen, was für ununterbrochene Stromversorgungen und andere Echtzeit-Stromkontrollsysteme von entscheidender Bedeutung ist.
- Haltbarkeit und Zuverlässigkeit: Dieses MOSFET wird strengen Tests durchgeführt, einschließlich 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietests, um sicherzustellen, dass sie den höchsten Branchenstandards für Haltbarkeit und Zuverlässigkeit entspricht. Sein robustes Design sorgt selbst in Hochstressumgebungen ein langes betriebliches Leben.
Zusammenfassend ist der MOSFET des 110A N-Kanalverbesserungsmodus für hocheffiziente Leistungsschaltanwendungen ausgelegt und bietet schnelle Schaltgeschwindigkeiten, einen niedrigen Widerstand und die Kapazität, um große Ströme zu bewältigen, was es ideal für UPS-Systeme und andere anspruchsvolle Stromverwaltungsanwendungen macht