| Tillgänglighet: | |
|---|---|
| Kvantitet: | |
DHS055N85
WXDH
TO-220C
85V
110A
| VDSS | RDS(på)(TYP) | ID |
| 85V | 5,5 mΩ | 110A |
110A N-kanal MOSFET använder teknik för förbättringsläge, som kräver en positiv spänning vid gateterminalen för att slås på. Denna funktion gör det möjligt för MOSFET att fungera effektivt i miljöer med hög effekt, vilket gör den lämplig för UPS-system och andra strömbrytarapplikationer. Med lågt på-motstånd och snabba omkopplingsmöjligheter är denna MOSFET optimerad för applikationer där effektivitet och snabba svarstider är avgörande. Dessutom minimerar den låga omvända överföringskapacitansen strömförlust, vilket säkerställer att enheten kan hantera höga strömbelastningar utan att kompromissa med prestanda.
Denna N-kanals MOSFET är idealisk för applikationer som kräver hög effekthantering, såsom UPS-system, DC-DC-omvandlare, motorkontroller och synkron likriktning i switch-mode power supply (SMPS). Dess förmåga att hantera upp till 110A ström och 85V spänning gör den särskilt effektiv för att upprätthålla stabil effekt under växlingshändelser. Oavsett om den används i ett industriellt UPS-system, höghastighetsmotorkontroller eller kraftomkopplingskretsar, säkerställer MOSFET pålitlig och konsekvent prestanda i krävande miljöer.
- Hög strömkapacitet: 110A N-kanals MOSFET är byggd för att klara höga effektkrav, vilket gör den till ett utmärkt val för tunga applikationer som UPS-system.
- Lågt motstånd: Genom att använda avancerad trench-teknik erbjuder denna MOSFET lågt Rdson-motstånd (on-state-resistans), vilket minskar strömförlusten och förbättrar den totala effektiviteten.
- Snabb växling: MOSFET:s snabba växlingshastighet säkerställer minimal fördröjning under kraftövergångar, vilket är avgörande för oavbruten strömförsörjning och andra strömkontrollsystem i realtid.
- Hållbarhet och tillförlitlighet: Denna MOSFET genomgår rigorösa tester, inklusive 100 % enkelpuls lavinenergitester, vilket säkerställer att den uppfyller de högsta industristandarderna för hållbarhet och tillförlitlighet. Dess robusta design säkerställer lång livslängd även i miljöer med hög stress.
Sammanfattningsvis är 110A N-channel Enhancement Mode MOSFET designad för högeffektiva strömväxlingsapplikationer, erbjuder snabba växlingshastigheter, lågt motstånd och kapacitet att hantera stora strömmar, vilket gör den idealisk för UPS-system och andra krävande strömhanteringstillämpningar




