Information
| Vds | Rds (on) (typ) | Id |
| 85V | 5.5mΩ | 110A |
Produktfunktioner
110A N-kanal MOSFET använder förbättringsläge-teknik, som kräver en positiv spänning vid grindterminalen för att slå på. Denna funktion gör det möjligt för MOSFET att fungera effektivt i miljöer med hög effekt, vilket gör den lämplig för UPS-system och andra strömbrytande applikationer. Med låg motståndskraft och snabb växlingsfunktioner är denna MOSFET optimerad för applikationer där effektivitet och snabb responstider är kritiska. Dessutom minimerar den låga omvänd överföringskapacitansen effektförlust, vilket säkerställer att enheten kan hantera höga strömbelastningar utan att kompromissa med prestanda.
Tillämpliga scenarier
Denna N-kanal MOSFET är idealisk för applikationer som kräver högeffekthantering, såsom UPS-system, DC-DC-omvandlare, motorstyrningar och synkron korrigering i strömförsörjning av switch-läge (SMP). Dess förmåga att hantera upp till 110A ström och 85V spänning gör den särskilt effektiv för att upprätthålla stabil effekt under omkopplingshändelser. Oavsett om det används i ett industriellt UPS-system, höghastighetsmotorkontroller eller kraftomkopplingskretsar, säkerställer MOSFET pålitlig och konsekvent prestanda i krävande miljöer.
Produktfördelar
-Hög nuvarande kapacitet: 110A N-kanal MOSFET är byggd för att hantera höga effektbehov, vilket gör det till ett utmärkt val för tunga applikationer som UPS-system.
-Låg motstånd: Genom att använda avancerad dike-teknik erbjuder denna MOSFET låg RDSON (motstånd motstånd), minskar kraftförlusten och förbättrar den totala effektiviteten.
- Snabbomkoppling: MOSFET: s snabbväxlingshastighet säkerställer minimal försening under strömövergångar, vilket är avgörande för oavbruten strömförsörjning och andra realtids kraftkontrollsystem.
- Hållbarhet och tillförlitlighet: Denna MOSFET genomgår rigorös testning, inklusive 100% enkla lavin -energitester, vilket säkerställer att den uppfyller de högsta industristandarderna för hållbarhet och tillförlitlighet. Dess robusta design säkerställer lång driftsliv även i miljöer med hög stress.
Sammanfattningsvis är MOSFET 110A N-kanal-förbättringsläge utformad för högeffektiv effektomkopplingsapplikationer, erbjuder snabba växlingshastigheter, låg motstånd och kapacitet att hantera stora strömmar, vilket gör det idealiskt för UPS-system och andra krävande krafthanteringsapplikationer
