အသေးစိတ်
| VDSS |
RDS(ဖွင့်)(TYP) |
အမှတ်သညာ |
| 85V |
5.5mΩ |
110A |
ထုတ်ကုန်လုပ်ဆောင်ချက်များ
110A N-channel MOSFET သည် ဖွင့်ရန်အတွက် ဂိတ်ဂိတ်ရှိ အပြုသဘောဗို့အား လိုအပ်သည့် မြှင့်တင်မုဒ်နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် MOSFET အား ပါဝါမြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ထိရောက်စွာလည်ပတ်နိုင်စေသည်၊ ၎င်းသည် UPS စနစ်များနှင့် အခြားပါဝါကူးပြောင်းခြင်းအပလီကေးရှင်းများအတွက် သင့်လျော်စေသည်။ ခံနိုင်ရည်နည်းပါးပြီး လျင်မြန်သော ကူးပြောင်းနိုင်မှုစွမ်းရည်များဖြင့်၊ ဤ MOSFET သည် ထိရောက်မှုနှင့် မြန်ဆန်သောတုံ့ပြန်မှုအချိန်များသည် အရေးကြီးသည့်အပလီကေးရှင်းများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ထားသည်။ ထို့အပြင်၊ low reverse transfer capacitance သည် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိခိုက်မှုမရှိဘဲ စက်ပစ္စည်းသည် မြင့်မားသော လက်ရှိဝန်များကို ကိုင်တွယ်နိုင်ကြောင်း သေချာစေပါသည်။
သက်ဆိုင်သော အခြေအနေများ
ဤ N-channel MOSFET သည် UPS စနစ်များ၊ DC-DC ပြောင်းစက်များ၊ မော်တာထိန်းချုပ်မှုများနှင့် switch-mode power supply (SMPS) ကဲ့သို့သော မြင့်မားသော ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှု လိုအပ်သည့် application များအတွက် စံပြဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ 110A ၏ လက်ရှိနှင့် ဗို့အား 85V အထိ ကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းသည် switching events များအတွင်း တည်ငြိမ်သောပါဝါကို ထိန်းသိမ်းရာတွင် အထူးထိရောက်စေသည်။ စက်မှု UPS စနစ်၊ မြန်နှုန်းမြင့် မော်တာ ထိန်းချုပ်မှုများ သို့မဟုတ် ပါဝါပြောင်းခြင်း ဆားကစ်များတွင် အသုံးပြုသည်ဖြစ်စေ MOSFET သည် လိုအပ်ချက်ရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး တသမတ်တည်း စွမ်းဆောင်ရည်ကို အာမခံပါသည်။
ထုတ်ကုန်အားသာချက်များ
- မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းဆောင်ရည်- 110A N-channel MOSFET သည် မြင့်မားသောပါဝါလိုအပ်ချက်များကို ကိုင်တွယ်ရန် တည်ဆောက်ထားပြီး UPS စနစ်များကဲ့သို့သော လေးလံသောအပလီကေးရှင်းများအတွက် အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်စေသည်။
- Low On-Resistance- အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ ဤ MOSFET သည် နိမ့်သော Rdson (ပြည်နယ်တွင်း ခုခံမှု) ကို ပေးစွမ်းပြီး ပါဝါဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးပြီး အလုံးစုံ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
- မြန်ဆန်သော ကူးပြောင်းခြင်း- MOSFET ၏ မြန်ဆန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းသည် ပါဝါအကူးအပြောင်းများအတွင်း နှောင့်နှေးမှုအနည်းဆုံးဖြစ်ကြောင်း သေချာစေသည်၊ ၎င်းသည် အနှောက်အယှက်ကင်းသော ပါဝါထောက်ပံ့မှုနှင့် အခြားအချိန်နှင့်တစ်ပြေးညီ ပါဝါထိန်းချုပ်မှုစနစ်များအတွက် အရေးကြီးပါသည်။
- ကြာရှည်ခံမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု- ဤ MOSFET သည် 100% single pulse avalanche energy tests အပါအဝင် ပြင်းထန်သောစမ်းသပ်မှုကို ခံယူပြီး တာရှည်ခံမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုအတွက် အမြင့်ဆုံးစက်မှုလုပ်ငန်းစံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီကြောင်း သေချာစေပါသည်။ ၎င်း၏ခိုင်ခံ့သောဒီဇိုင်းသည် စိတ်ဖိစီးမှုမြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ပင် တာရှည်လုပ်ငန်းဆောင်တာသက်တမ်းကို အာမခံပါသည်။
အချုပ်အားဖြင့်ဆိုရသော် 110A N-channel Enhancement Mode MOSFET သည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပါဝါကူးပြောင်းခြင်း အက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး မြန်ဆန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းများ၊ ခံနိုင်ရည်နည်းပါးမှုနှင့် ကြီးမားသောရေစီးကြောင်းများကို ကိုင်တွယ်ရန် စွမ်းရည်တို့ကို ပေးဆောင်ထားပြီး UPS စနစ်များနှင့် အခြားလိုအပ်သော ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုအက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် စံနမူနာဖြစ်စေပါသည်။
