可用性: | |
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数量: | |
DHS055N85
WXDH
TO-220C
85V
110a
VDSS | rds(on)(typ) | id |
85V | 5.5mΩ | 110a |
110A N-Channel MOSFETは、強化モードテクノロジーを使用しており、GATE端子の正の電圧をオンにする必要があります。この機能により、MOSFETは高出力環境で効率的に動作することができ、UPSシステムやその他の電源スイッチングアプリケーションに適しています。耐性が低く、切り替え機能が低いため、このMOSFETは、効率と迅速な応答時間が重要なアプリケーションに最適化されています。さらに、低い逆転送容量により、電力損失が最小限に抑えられ、パフォーマンスを損なうことなくデバイスが高電流負荷を処理できるようにします。
このNチャネルMOSFETは、UPSシステム、DC-DCコンバーター、モーターコントロール、スイッチモード電源(SMPS)の同期修正など、高出力管理を必要とするアプリケーションに最適です。最大110Aの電流と85Vの電圧を処理する能力により、スイッチングイベント中に安定した出力を維持するのに特に効果的です。 MOSFETは、産業用UPSシステム、高速モーターコントロール、または電力スイッチング回路で使用されている場合でも、要求の厳しい環境で信頼できる一貫したパフォーマンスを保証します。
- 高電流容量:110A N-Channel MOSFETは、高出力需要を処理するために構築されており、UPSシステムなどの頑丈なアプリケーションに最適です。
- 耐性の低い:高度なトレンチテクノロジーを利用することにより、このMOSFETは低いRDSON(州内抵抗)を提供し、電力損失を減らし、全体的な効率を改善します。
- 高速スイッチング:MOSFETの高速スイッチング速度により、電力移行中の最小限の遅延が保証されます。これは、途切れない電源やその他のリアルタイム電源制御システムにとって重要です。
- 耐久性と信頼性:このMOSFETは、100%の単一パルス雪崩エネルギーテストを含む厳密なテストを受け、耐久性と信頼性に関する最高の業界基準を満たすことを保証します。その堅牢なデザインは、ストレス環境でも長い運用寿命を保証します。
要約すると、110A NチャネルエンハンスメントモードMOSFETは、高効率の電力スイッチングアプリケーション用に設計されており、高速スイッチング速度、低抵抗、大きな電流を処理する能力を提供し、UPSシステムやその他の要求の強い電力管理アプリケーションに最適です。
VDSS | rds(on)(typ) | id |
85V | 5.5mΩ | 110a |
110A N-Channel MOSFETは、強化モードテクノロジーを使用しており、GATE端子の正の電圧をオンにする必要があります。この機能により、MOSFETは高出力環境で効率的に動作することができ、UPSシステムやその他の電源スイッチングアプリケーションに適しています。耐性が低く、切り替え機能が低いため、このMOSFETは、効率と迅速な応答時間が重要なアプリケーションに最適化されています。さらに、低い逆転送容量により、電力損失が最小限に抑えられ、パフォーマンスを損なうことなくデバイスが高電流負荷を処理できるようにします。
このNチャネルMOSFETは、UPSシステム、DC-DCコンバーター、モーターコントロール、スイッチモード電源(SMPS)の同期修正など、高出力管理を必要とするアプリケーションに最適です。最大110Aの電流と85Vの電圧を処理する能力により、スイッチングイベント中に安定した出力を維持するのに特に効果的です。 MOSFETは、産業用UPSシステム、高速モーターコントロール、または電力スイッチング回路で使用されている場合でも、要求の厳しい環境で信頼できる一貫したパフォーマンスを保証します。
- 高電流容量:110A N-Channel MOSFETは、高出力需要を処理するために構築されており、UPSシステムなどの頑丈なアプリケーションに最適です。
- 耐性の低い:高度なトレンチテクノロジーを利用することにより、このMOSFETは低いRDSON(州内抵抗)を提供し、電力損失を減らし、全体的な効率を改善します。
- 高速スイッチング:MOSFETの高速スイッチング速度により、電力移行中の最小限の遅延が保証されます。これは、途切れない電源やその他のリアルタイム電源制御システムにとって重要です。
- 耐久性と信頼性:このMOSFETは、100%の単一パルス雪崩エネルギーテストを含む厳密なテストを受け、耐久性と信頼性に関する最高の業界基準を満たすことを保証します。その堅牢なデザインは、ストレス環境でも長い運用寿命を保証します。
要約すると、110A NチャネルエンハンスメントモードMOSFETは、高効率の電力スイッチングアプリケーション用に設計されており、高速スイッチング速度、低抵抗、大きな電流を処理する能力を提供し、UPSシステムやその他の要求の強い電力管理アプリケーションに最適です。