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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza N6005 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 210 A 60 V

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.
Disponibilità:
Quantità:

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 180 A 60 V


1 Descrizione 

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

● Bassa resistenza

● Carica di gate bassa 

● Commutazione rapida

● Basse capacità di trasferimento inverso 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 


3 applicazioni 

● Commutazione dell'alimentazione 

● Sistema di gestione della potenza dell'inverter 

● Controllo dell'utensile elettrico 

● Applicazioni elettroniche automobilistiche


VDSS RDS(acceso)(TIPO) ID
60 V 2,2 mΩ 180A


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