未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12V-300V N MOS » 210A 60V N-kanalforbedringsmodus MOSFET N6005 til-220C

lasting

Del til:
Facebook -delingsknapp
Twitter -delingsknapp
Linjedelingsknapp
WeChat delingsknapp
LinkedIn -delingsknapp
Pinterest delingsknapp
WhatsApp -delingsknapp
Sharethis delingsknapp

210A 60V N-kanalforbedringsmodus MOSFET N6005 til-220C

Disse N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETS brukte avansert grøfteteknologidesign, ga utmerket RDSON og lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgjengelighet:
Mengde:
Spørre Legg til kurv

180A 60V N-kanals forbedringsmodus MOSFET


1 Beskrivelse 

Disse N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETS brukte avansert grøfteteknologidesign, ga utmerket RDSON og lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funksjoner 

● Lav på motstand

● Lav portladning 

● Rask bytte

● Lav omvendte overføringskapasitanser 

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test 

● 100% ΔVDS -test 


3 søknader 

● Bytte strømforsyning 

● Omformer strømstyringssystem 

● Kontroll av elektroverktøy 

● Automotive Electronics Applications


VDSS Rds (på) (typ) Id
60V 2,2 mΩ 180a


Last ned Enhet N6005B40 Spesifikasjon.pdf

Tidligere: 
NESTE: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrer deg for vårt nyhetsbrev
  • Gjør deg klar for fremtiden
    påmelding til vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett til innboksen
    Send inn
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com