未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tukaj: Doma » Izdelki » Mosfet » 12V-300V N MO » 210A 60V N-kanalni način izboljšanja moči MOSFET N6005 TO-220C

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

210A 60V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET N6005 TO-220C

Ta način izboljšanja N-kanalov Power MOSFETS je uporabljal napredno zasnovo tehnologije jarkov, zagotavljal odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS.
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

180A 60V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET


1 opis 

Ta način izboljšanja N-kanalov Power MOSFETS je uporabljal napredno zasnovo tehnologije jarkov, zagotavljal odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS. 


2 značilnosti 

● nizko odpornost

● Nizka naboj vrat 

● Hitro preklapljanje

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom 

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test 


3 aplikacije 

● Preklapljanje napajanja 

● Sistem za upravljanje električne energije pretvornika 

● Nadzor električnega orodja 

● Avtomobilske aplikacije za elektroniko


VDS RDS (ON) (Typ) Id
60V 2.2mΩ 180a


Prenos Naprava N6005B40 Specifikacija.pdf

Prejšnji: 
Naslednji: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM