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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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210A 60V Modo de mejora del canal Potencia MOSFET N6005 TO-220C

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

180A 60V N-Canal Modo de mejora MOSFET


1 descripción 

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Bajo en resistencia

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Fuente de alimentación de conmutación 

● Sistema de gestión de energía del inversor 

● Control de herramientas eléctricas 

● Aplicaciones electrónicas automotrices


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
60V 2.2mΩ 180A


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