MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 60 V
1 Descripción
Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Cambio rápido
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Fuente de alimentación conmutada
● Sistema de gestión de energía del inversor.
● Control de herramientas eléctricas
● Aplicaciones de electrónica automotriz
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 60V |
2,2 mΩ |
180A |