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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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MOSFET N6005 TO-220C de potencia del modo de mejora del canal N de 210A 60V

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 60 V


1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 


2 características 

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Fuente de alimentación conmutada 

● Sistema de gestión de energía del inversor. 

● Control de herramientas eléctricas 

● Aplicaciones de electrónica automotriz


VDSS RDS (activado) (TIPO) IDENTIFICACIÓN
60V 2,2 mΩ 180A


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