未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

12V-300V N MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
Paketa DSU010N04LA TOLL DSU010N04LA
33A 60V 60V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Specifikimi i pajisjes DH240N06L Rev.2.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 120A 70 V Fuqia MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Fletë të dhënash+V3.0 (1).pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
240A 60V 60 V-kanal N e përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60 V 180 A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Fletë e të dhënave+V2.0.pdf
80A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80 A Specifikimi i pajisjes DHS065N10P(1).pdf
130A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85 V 130 A DSP038N08NA_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
96A 30V N-kanal i përmirësimit MOSFET Fuqia MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30 V 96A Specifikimi i pajisjes DH030N03P.pdf
60A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Specifikimi i pajisjes DH0159B76(1).pdf
300A 100V 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSU021N10NA PAKETA TOLL DSU021N10NA TOLL 100 V 300A Device+DSU021N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
65A MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanaleve N 100 V DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
80A 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH80N08 B22.pdf
120A100V MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N D120N10 TO-220C 100 V 120A Specifikimi i pajisjes D120N10ZR.pdf
80A 68V-N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH072N07.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 50A 200 V Fuqia MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50 A Specifikimi i pajisjes F50N20(1).pdf
180A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180 A Device+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
110A 60V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60 V 110A Device+DH066N06+Specification+Rev.2.0.pdf
60A 68V 68V-N-kanali i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60 A Specifikimi i pajisjes DH60N06+.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V 100A Specifikimi i pajisjes DH100N03 B13.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com