ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом »» Продукция » МОСФЕТ » 12V-300V N MOS
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

12 В-300В N MOS

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
65A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30 В 65а Устройство DH033N03R Specification.pdf
155A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH035N04 до-220C DH035N04 До-220c 40 В 155а Устройство DH035N04 Specification.pdf
100 В/5,2 МОм/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 В 95а DSP070N10L3A_DATASHEET_V1.0.PDF
170a 30 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
110a 60 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH065N06D до 252B DH065N06D До 252b 60 В 110a DH065N06D_DATASHEET_V2.0.PDF
20A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS400N10D до 252B DHS400N10D До 252b 100 В 20А DHS400N10D_DATASHEET_V2.0 .pdf
 N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F До-220f 100 В 110a Устройство DHS052N10 Specification.pdf
47A 100 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 В 47а Устройство DH135N10P Specification.pdf
35A 120V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSD270N12N3 до 252B DSD270N12N3 До 252b 120 В 35а Устройство+DSD270N12N3+Спецификация+Rev.1.0.pdf
200 В/11 МОм/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA До-220c 200 В 110a DSG108N20NA_DATASHEET_V1.0.PDF
116A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH070N07 До-220c 70В 100А DH070N07 (T0F) _DATASHEET_V1.0.PDF
 N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F До-220f 100 В 68а DH140N10B & DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
100a 30 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K До 252b 30 В 100А 30H10YAF_DATASHEET_V1.0.PDF
 N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 110A 100V DHS052N10D до 252B DHS052N10D До 252b 100 В 110a Устройство DHS052N10 Specification.pdf
 N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E До 263 100 В 110a Устройство DHS052N10 Specification.pdf
30A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 До 252b 60 В 30A Устройство DHZ24B31 Specification.pdf
25A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET 25N10 до-220C DH025N03 До-220c 30 В 150a Устройство DH025N03 Specification.pdf
120A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30 В 120a Устройство DH025N03P Спецификация (1) (1) .pdf
220A 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA До-220c 40 В 220A Устройство DTE025N04NA & DTG025N04NA спецификация Rev.1.0.pdf
60A 68V N-Channel Mode Mode Power Mosfet DHD50N06 до 252B DHD50N06 До 252b 68 В 60A Устройство 50N06B34 Specification.pdf

Продукт видео

  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик