未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » МОСФЕТ » 12 В-300В N MOS » DSG150N10L3 to-220

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

DSG150N10L3 до-220

В этом N-канальном режиме режима режима мощности использовались современные технологии технологии Trench Trench Splite, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
Доступность:
количество:
Запросить Добавить в корзину

  • DSG150N10L3

  • WXDH

100 В/12,5 МОм/60A N-MOSFET


1 Описание 

В режиме n-канального режима мощных мосфетов использовались современные технологии технологии траншеи Splite Gate, обеспечивая отличную зарядку RDSON и низкий затвор. Который согласуется со стандартом ROHS. 


2 функции 

● Низкое сопротивление 

● Бесплатный PB, без галогенов / ROHS, соответствующий

● Низкие емкости обратного переноса 

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной 

● Тест 100% ΔVDS 


3 приложения 

● управление двигателем и привод 

● Зарядка/разряд за системой управления батареями

● Синхронный выпрямитель для SMPS


VDSS RDS (ON) (тип) ИДЕНТИФИКАТОР
100 В 12,5 МОм 60A


Предыдущий: 
Следующий: 
МОСФЕТ
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com