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DSG150N10L3 TO20

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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  • DSG150N10L3

  • Wxdh

100V/12.5MΩ/60A N-MOSFET


1 descripción 

El modo de mejora del canal N, MOSFET de potencia, utilizó un diseño de tecnología de trinchera de puerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Bajo en resistencia 

● Capazante de placas sin PB / sin halógeno / ROHS

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor 

● Carga/descarga para el sistema de gestión de la batería

● Rectificador sincrónico para SMPS


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
100V 12.5mΩ 60A


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