DSG150N10L3 TO-220

MOSFET N de 100 V/12,5 mΩ/60 A

1 Descripción 

Los mosfets de potencia del modo de mejora del canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Recubrimiento sin Pb / Sin halógenos / Cumple con RoHS

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Control y accionamiento del motor. 

● Carga/Descarga para el sistema de gestión de baterías

● Rectificador síncrono para SMPS

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	12,5 mΩ	60A