DSG150N10L3 ដល់-220

100V/12.5mΩ/60A N-MOSFET

1 ការពិពណ៌នា 

Mosfets នៃរបៀបពង្រឹង N-channel បានប្រើការរចនាបច្ចេកវិជ្ជា splite gate trench កម្រិតខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវ Rdson ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងការបញ្ចូលថ្មទាប។ ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។ 

2 លក្ខណៈពិសេស 

● ធន់ទ្រាំទាប 

● Pb-Free plating / Halogen-Free / អនុលោមតាម RoHS

● សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាសទាប 

● 100% ការធ្វើតេស្តថាមពល avalanche ជីពចរតែមួយ 

● 100% ΔVDS ការធ្វើតេស្ត 

3 កម្មវិធី 

● ការគ្រប់គ្រងម៉ូទ័រ និងបើកបរ 

● ការបញ្ចូលថ្ម / ការបញ្ចោញសម្រាប់ប្រព័ន្ធគ្រប់គ្រងថ្ម

● ឧបករណ៍កែតម្រូវសមកាលកម្មសម្រាប់ SMPS

វីឌីអេសអេស	RDS(បើក)(TYP)	លេខសម្គាល់
100V	12.5mΩ	60A