DSG150N10L3 ถึง 220

100V/12.5MΩ/60A N-MOSFET

1 คำอธิบาย 

โหมดการปรับปรุง N-Channel MOSFETs ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 

2 คุณสมบัติ 

●ความต้านทานต่ำ 

●เป็นไปตามมาตรฐานการชุบฟรี / ปลอดฮาโลเจน / ROHS

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100% 

●การทดสอบ 100% ΔVDS 

3 แอปพลิเคชัน 

●การควบคุมมอเตอร์และไดรฟ์ 

●ชาร์จ/จำหน่ายสำหรับระบบการจัดการแบตเตอรี่

●วงจรเรียงกระแสแบบซิงโครนัสสำหรับ SMPS