Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
DSG150N10L3
WXDH
100V/12.5MΩ/60A N-MOSFET
1 περιγραφή
Η λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησε προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχε εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Χαμηλή αντίσταση
● Συμβατική επένδυση χωρίς PB / χωρίς αλογόνο / ROHS
● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Έλεγχος και οδήγηση κινητήρα
● Χρέωση/απαλλαγή για σύστημα διαχείρισης μπαταριών
● Συγχρονικός ανορθωτής για SMPS
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
100V | 12.5mΩ | 60α |
100V/12.5MΩ/60A N-MOSFET
1 περιγραφή
Η λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησε προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχε εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Χαμηλή αντίσταση
● Συμβατική επένδυση χωρίς PB / χωρίς αλογόνο / ROHS
● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Έλεγχος και οδήγηση κινητήρα
● Χρέωση/απαλλαγή για σύστημα διαχείρισης μπαταριών
● Συγχρονικός ανορθωτής για SMPS
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
100V | 12.5mΩ | 60α |