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DSG150N10L3 TO-220

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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  • DSG150N10L3

  • WXDH

100 V/12,5 mΩ/60 A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Die Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Splite-Gate-Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem

● Synchrongleichrichter für SMPS


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
100V 12,5 mΩ 60A


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