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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 75 V D7509 TO-220C

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 80 A 75 V
Disponibilità:
Quantità:

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 75 V


1 Descrizione 

Questi MOSFET di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzano un design avanzato della tecnologia trench, forniscono un eccellente RDSON e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

● Resistenza bassa 

● Tariffa gate bassa 

● Commutazione rapida 

● Capacità di trasferimento inverso basse

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 


3 applicazioni

● Alimentazione di commutazione CA-CC 

● Macchina elettrica senza spazzole 

● Caricabatterie ad alta potenza

●Invertitore 

● Strumento elettrico

● Bilanciamento dell'auto

● Controller per veicoli elettrici


VDS RDS(acceso)tip. ID
75 V 6,7 mΩ 80A


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