MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 80 A 75 V
1 Descriptif
Ces MOSFETS de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisent une conception de technologie de tranchée avancée, fournissent un excellent RDSON et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Faible résistance
● Faible charge de porte
● Commutation rapide
● Faibles capacités de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test ΔVDS 100 %
3 candidatures
● Alimentation de commutation AC-DC
● Machine électrique sans balais
● Chargeur haute puissance
● Onduleur
● Outil électrique
● Voiture d'équilibre
● Contrôleur pour véhicules électriques
| VDS |
Type RDS(on). |
IDENTIFIANT |
| 75V |
6,7 mΩ |
80A |