80 A 75 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D7509 TO-220C

80 A 75 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETS mit Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden RDSON und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● AC-DC-Schaltleistung 

● Bürstenlose elektrische Maschine 

● Hochleistungsladegerät

● Wechselrichter 

● Elektrowerkzeug

● Balance-Auto

● Controller für Elektrofahrzeuge

VDS	RDS(on)typ.	AUSWEIS
75V	6,7 mΩ	80A