MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 80 A y 75 V
1 Descripción
Estos MOSFETS de potencia de modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionaron un RDSON excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Cambio rápido
● Bajas capacidades de transferencia inversa
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Alimentación conmutada CA-CC
● Máquina eléctrica sin escobillas
● Cargador de alta potencia
● Inversor
● Herramienta eléctrica
● Carro de equilibrio
● Controlador para vehículos eléctricos
| VDS |
RDS(encendido)tipo. |
IDENTIFICACIÓN |
| 75V |
6,7 mΩ |
80A |