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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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100 V/2 mΩ/281 A N-MOSFET PEDAGGIO

100 V/2 mΩ/281 A N-MOSFET
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MOSFET N da 100 V/2 mΩ/281 A



Caratteristiche

• Utilizzata la tecnologia avanzata del silicio SGT3 

• RDS(on) con resistenza estremamente bassa 

• Basse capacità di trasferimento inverso 

• Test energetico da valanga al 100% a impulso singolo 

• Test ΔVDS al 100%. 

• Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS 


Applicazioni 

• Controllo e azionamento del motore 

• Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria 

• Raddrizzatore sincrono per SMPS


VDS RDS(acceso)tip. ID
100 V 2 mΩ 281A


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MOSFET N da 100 V/2 mΩ/281 A
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