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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Toll N-Mosfet da 100V/2MΩ/281A

100V/2MΩ/281A N-Mosfet
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100V/2MΩ/281A N-MOSFET



Caratteristiche

• Tecnologia SGT3 SgT3 Silicon utilizzata 

• RDS di resistenza di resistenza estremamente bassa (ON) 

• Basse capacità di trasferimento inverso 

• Test di energia a valanga a impulso singolo 100% 

• Test al 100% ΔVDS 

• Placting privo di Pb / senza alogeno / conforme ROHS 


Applicazioni 

• Controllo e guida del motore 

• Carica/scarica per il sistema di gestione della batteria 

• raddrizzatore sincrono per SMP


VDS RDS (ON) tip. ID
100V 2MΩ 281a


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