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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Peaje N-Mosfet de 100V/2MΩ/281A

100V/2MΩ/281A N-Mosfet :
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100V/2MΩ/281A N-MOSFET



Características

• Tecnología de silicio SGT3 avanzada utilizada 

• RDS extremadamente bajo en resistencia (encendido) 

• Capacitancias de transferencia inversa bajas 

• Prueba de energía de avalancha de pulso 100% de un solo pulso 

• Prueba de 100% ΔVDS 

• Capazante sin PB / sin halógeno / ROHS 


Aplicaciones 

• Control y unidad del motor 

• Carga/descarga para el sistema de gestión de la batería 

• Rectificador sincrónico para SMPS


VDS RDS (ON) TYP. IDENTIFICACIÓN
100V 2mΩ 281a


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100V/2MΩ/281A N-MOSFET
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