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PEAJE N-MOSFET de 100V/2mΩ/281A

100V/2mΩ/281A N-MOSFET
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MOSFET N de 100 V/2 mΩ/281 A



Características

• Se utiliza tecnología avanzada de silicio SGT3 

• RDS (encendido) de resistencia extremadamente baja 

• Bajas capacitancias de transferencia inversa 

• Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

• Prueba 100% ΔVDS 

• Revestimiento libre de Pb/libre de halógenos/cumple con RoHS 


Aplicaciones 

• Control y accionamiento de motores 

• Carga/Descarga del Sistema de Gestión de Baterías 

• Rectificador síncrono para SMPS


VDS RDS(encendido)tipo. IDENTIFICACIÓN
100V 2mΩ 281A


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MOSFET N de 100 V/2 mΩ/281 A
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