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PEDÁGIO N-MOSFET 100V/2mΩ/281A

100V/2mΩ/281A N-MOSFET
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100V/2mΩ/281A N-MOSFET



Características

• Tecnologia avançada de silício SGT3 utilizada 

• RDS de resistência extremamente baixa (ligado) 

• Baixas capacitâncias de transferência reversa 

• Teste de energia de avalanche com 100% de pulso único 

• Teste ΔVDS 100% 

• Revestimento sem Pb/sem halogênio/em conformidade com RoHS 


Aplicativos 

• Controle e acionamento do motor 

• Carga/Descarga para Sistema de Gerenciamento de Bateria 

• Retificador Síncrono para SMPS


VDS Tipo RDS(ligado). EU IA
100 V 2mΩ 281A


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