DSU023N10N3
WXDH
通行料金
100V
281a
100V/2MΩ/281A N-MOSFET
特徴
•高度なSGT3シリコンテクノロジーを利用しました
•抵抗上の非常に低いRDS(オン)
•低逆転送容量
•100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
•100%ΔVDSテスト
•PBフリーメッキ /ハロゲンフリー / ROHS準拠
アプリケーション
•モーター制御とドライブ
•バッテリー管理システムの充電/放電
•SMPS用の同期整流器
VDS | rds(on)typ。 | id |
100V | 2mΩ | 281a |
100V/2MΩ/281A N-MOSFET
特徴
•高度なSGT3シリコンテクノロジーを利用しました
•抵抗上の非常に低いRDS(オン)
•低逆転送容量
•100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
•100%ΔVDSテスト
•PBフリーメッキ /ハロゲンフリー / ROHS準拠
アプリケーション
•モーター制御とドライブ
•バッテリー管理システムの充電/放電
•SMPS用の同期整流器
VDS | rds(on)typ。 | id |
100V | 2mΩ | 281a |